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                    IGBT模塊常用的功率器件

                    日期:2020-08-11 04:50
                    瀏覽次數:688
                    摘要:
                          IGBT模塊的電壓規格與所使用裝置的輸入電源即試電電源電壓緊密相關。其相互關系見下表。使用中當IGBT模塊集電極電流增大時,所產生的額定損耗亦變大。同時,開關損耗增大,使原件發熱加劇,因此,選用IGBT模塊時額定電流應大于負載電流。特別是用作高頻開關時,由于開關損耗增大,發熱加劇,選用時應該降等使用。
                      變頻器向前發展,一直是隨著電力電子器件的發展而發展。只要電力電子器件有了新的飛躍,變頻器就一定有個新飛躍,必定有新的變頻器出現。在20世紀50年代出現了硅晶閘管(SCR);60年代出現可關斷晶閘管(GTO晶閘管);70年代出現了高功率晶體管(GTR)和功率場效應管(MOSFET);80年代相繼出現了絕緣柵雙極功率晶體管(IGBT)以及門控晶閘管(IGCT)和電力加強注入型絕緣柵極晶體管(IEGT),90年代出現智能功率模塊(IPM)。由于這些元器件的出現,相應出現了以這些逆變器件為主的變頻器,反過來,變頻器要求逆變器件有個理想的靜態特性:在阻斷狀態時,能承受高電壓;在導通狀態時,能大電流通過和低的導通壓降,損耗小,發熱量小;在開關狀態轉換時,具有短的開、關時間,即開關頻率高,而且能承受高的du/dt;全控功能,壽命長、結構緊湊、體積小等特點,當然還要求成本低。上述這些電力電子器件有些是滿足部分要求,有些是逐步向這個方向發展,達到完善的要求,特別是中(高)壓變頻器更需要耐壓高的元器件。

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